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        ALD/ALE Elegant II-Y
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        ALD/ALE Elegant II-Y

        ELEGANT II-Y系列是原磊纳米科技的第二代研发型ALD/ALE设备,拥有完全的自主知识产权,符合CE标准,主要针对高校、科研院所和小批量生产客户。该系列采用双腔设计,从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率;同时集成我司自主研发的传输系统,可实现一键操作,减少人工干预,降低污染的可能性。该系列还预留了数个升级端口,可同时实现等离子体增强和臭氧工艺,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。
        零售价
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        产品编号
        所属分类
        研发型机台
        数量
        -
        +
        1
        产品描述

        技术指标:
        样品:最大12英寸,向下兼容,可定制
        工艺温度:RT~300℃,更高温度可定制高温模块。
        前驱源管路:最大6路独立管路,可定制
        低压源加热系统:包含源瓶和管路,RT~200℃
        真空系统:高性能机械泵,可定制半导体级分子泵
        生长模式:正常生长、停留生长、等离子体增强(可定制)
        等离子体源:0-3000W RPS,可定制
        等离子体放电气源:最大4路独立管路,可定制
        控制系统 :自主研发操作系统 + 触摸屏
        电源: 50-60Hz, 380V/20A交流电源
        均匀性:Al2O3非均匀性<±1%

        应用实例:
               High-k栅氧化层,超级电容器介电材料,高深宽比(如TSV)结构种子层或阻挡层,MEMS中的压电材料,减反射或高通透光学镜片膜,太阳能电池的钝化层和载流子传输层,平板显示器,其它各类特殊纳米薄膜。

        关键词:
        ALD/ALE ElegantⅡ
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