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        Elegant II-Y200
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        Elegant II-Y200

        ELEGANT II-Y系列是原磊納米科技的第二代研發型ALD設備,擁有完全的自主知識產權,符合CE標準,主要針對高校、科研院所和小批量生產客戶。該系列采用雙腔設計,從最大程度上保證了沉積的穩定性和源利用率;同時集成我司自主研發的傳輸系統,可實現一鍵操作,減少人工干預,降低污染的可能性。該系列還預留了數個升級端口,可同時實現等離子體增強和臭氧工藝,特別適合泛半導體、化合物、特殊記憶體、MEMS和光學器件上的薄膜沉積。
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        產品編號
        所屬分類
        研發型機臺
        數量
        -
        +
        庫存:
        0
        1
        產品描述

        技術指標:
        樣品:最大8英寸,向下兼容,可定制
        工藝溫度:RT~300℃,更高溫度可定制高溫模塊。
        前驅源管路:最大6路獨立管路,可定制
        低壓源加熱系統:包含源瓶和管路,RT~200℃
        真空系統:高性能機械泵,可定制半導體級分子泵
        生長模式:正常生長、停留生長、等離子體增強(可定制)
        等離子體源:0-3000W RPS,可定制
        等離子體放電氣源:最大4路獨立管路,可定制
        控制系統 :自主研發操作系統 + 觸摸屏
        電源: 50-60Hz, 380V/20A交流電源
        均勻性:Al2O3非均勻性<±1%

        應用實例:
               High-k柵氧化層,超級電容器介電材料,高深寬比(如TSV)結構種子層或阻擋層,MEMS中的壓電材料,減反射或高通透光學鏡片膜,太陽能電池的鈍化層和載流子傳輸層,平板顯示器,其它各類特殊納米薄膜。

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        關鍵詞:
        Elegant Y200
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